Ενιαίο σημείο εισόδου 60W φίλτρων του τοπικού LAN Ethernet λιμένων l22h002-λ 5G βάση-τ Gigabit

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΗ:
1 σχεδιασμένος για Ethernet 5G βάση-τ, πλήρεις ενιαίες εφαρμογές λιμένων.
2 υποστηρίξεις 4 ζευγάρια της κατηγορίας 6 ή του μεγαλύτερου καλωδίου.
3 διεπαφή καλωδίων για την απομόνωση και τις χαμηλές κοινές εκπομπές τρόπου.
4 σχεδιασμένος για να συναντήσει IEEE 802,3 με ισορροπημένο το 720mA ρεύμα.
5 συμμόρφωση με τις ελεύθερες απαιτήσεις RoHS&Halogen.
6 θερμοκρασία λειτουργίας και αποθήκευσης

   Λειτουργούσα θερμοκρασία: 0°C σε +70°C
   Θερμοκρασία αποθήκευσης: -25°C σε +105°C
7 επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): 2a
 

Εφαρμογή:

1 πλαίσιο Grabbers

2 τερματικά υπολογιστών

3 μητρικές κάρτες υπολογιστών

4 πάγκοι εργασίας και τερματικοί σταθμοί (βιομηχανικοί)

1.Electrical προδιαγραφές @25℃
   Τύπος: Χαμηλής διέλευσης σύνθετη αντίσταση 100Ω ισορροπίας
2.Insertion απώλεια
   1-50MHZ -0,5 DB Max
   50-125MHZ -1,0 DB Max
   125-300MHZ -2,0 DB Max
3.Return απώλεια
   1-50MHz -20 DB Minload 100Ω
   ελάχιστο φορτίο 100Ω 50-200MHz -20+8*log (Freq MHz/50MHz) DB
   ελάχιστο φορτίο 100Ω 200-300MHz -15+30*log (Freq MHz/200MHz) DB
4.Reflected εκατ. στη μετατροπή Diff (REF)
   1MHZ -30 DB λ.
   50MHZ -30 DB λ.
   100MHZ -27 DB λ.
   200MHZ -24 DB λ.
   300MHZ -22 DB λ.
5.CM στη μετατροπή DM (REF)
   1-50MHZ -35 DB λ.
   125MHZ -30 DB λ.
   200MHZ -27 DB λ.
   300MHZ -24 DB λ.
6.Reflected Diff στη μετατροπή εκατ. (REF)
   1-10MHZ -48 DB λ.
   10-300MHZ -48+19*log (Freq MHz/10MHz) DB λ.
7.CM στη μείωση εκατ. (REF)
   1-200MHZ -25 DB λ.
   200-300MHZ -20 DB λ.
8.Cross συζήτηση (REF)
   1-125MHZ -30 DB λ.
   125-200MHZ -25 DB λ.
   200-300MHZ -25 DB λ.
9.Inductance

   @ 100KHz, 0.1V, συνεχές ρεύμα ΠΡΟΚΑΤΕΙΛΗΜΜΈΝΟ 160uHMin 8mA
10.HiPot δοκιμή
   @ 1500 Vrms
11.Turns αναλογία
   @ 1:1±5%